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CAMBRIDGE GAN DEVICES 與工業技術研究院簽署合作備忘錄共同開發氮化鎵（GaN）電源

Thu, 30 May 2024 00:30:28 -0700

CAMBRIDGE GAN DEVICES 與工業技術研究院簽署合作備忘錄共同開發氮化鎵（GaN）電源

為電動汽車、電動工具、筆記型電腦和手機應用開發功率密度超過30 W/in3的140-240 W USBPD

適配器

2024 年 5 月 30 日

【英國劍橋訊】Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，致力於開發多種節能的氮化鎵（GaN）器件，以實現更環保的電子元件。CGD與工業技術研究院（ITRI）簽署了合作備忘錄，以鞏固雙方在開發高性能氮化鎵USB-PD適配器的合作夥伴關係，並共享國內外市場資訊及對潛在客戶的聯合訪問和推廣。

(使用 ICeGaN 的 140-240W USB PD 適配器示範)

ANDREA BRICCONI | CGD 首席商務總監

「我們很高興能與ITRI合作， ITRI擁有一個經驗豐富的研發團隊，在開發電源解決方案方面具備深厚經驗並擁有多項專利。我們將在6月於紐倫堡舉行的PCIM展覽上的展示ITRI的一些電路板設計。這些產品利用CGD獨特的IC晶片架構和ITRI的專利設計，以實現產品尺寸縮小、高效率、高功率密度及成本競爭力。」

WEN-TIEN TSAI | GEL/ITRI 商用電源設計團隊負責人

「CGD的IC增强型氮化鎵—ICeGaN ™ 此系列產品是一個新穎的平台。它提高了易用性，導入了智能溫度控制，並增強閘極的可靠性。我們很高興將這些優勢納入我們新的電源設計中。」

根據業界領先的寬能隙半導體（WBG）分析機構Yole Group的報告指出，GaN市場預計將超過10億美元，主要增長領域在通信電源、汽車DC/DC轉換器和車載充電器的應用方面。 CGD和ITRI將合作設計一個採用GaN器件的商業化產品是USB-PD適配器，為電動汽車、電動工具、筆記型電腦和手機應用開發功率密度超過30 W/in3的140-240 W範圍的電源解決方案。

關於 Cambridge GaN Devices

英商劍橋氮化鎵器件有限公司（Cambridge GaN Devices，簡稱CGD）專注於 GaN 電晶體和 IC 的設計、開發及商業化，致力於推動能源效率和提高功率密度層面的根本變革。我們的使命是提供各種簡便節能的GaN 解決方案，以便將創新成果帶入日常生活。CGD的ICeGaN™ 技術已被證實適合大規模生產，公司正在快速擴展，製造商和代理商的合作夥伴關係也陸續到位。CGD 是從劍橋大學分立出來的無晶圓廠半導體公司，創辦人兼執行長 Giorgia Longobardi 博士及技術長 Florin Udrea 教授等公司創辦人仍與劍橋大學享有盛譽的高電壓微電子及感測器小組 (HVMS) 維持密切合作。在 CGD 專注推動創新的努力下，ICeGaN HEMT 技術取得一系列強大且持續擴展的 IP 組合，享有堅實可靠的智慧財產保障。CGD...Read More

Cambridge GaN Devices 推出獨特2D 條碼，提升製程的耐用度與可靠度

Thu, 21 Sep 2023 22:55:00 -0700

Cambridge GaN Devices 推出獨特2D 條碼，提升製程的耐用度與可靠度

CGD 率先推出可由市售條碼掃描器讀取的個別 GaN 晶片 2D 條碼，用於識別晶圓上的 IC 製造位置

2023 年 9 月 22日

【英國劍橋訊】Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，致力於開發一系列基於氮化鎵(GaN)的節能功率裝置，以實現提供更環保的電子元件。CGD 再次展現其對創新的承諾，率先推出在 GaN IC 上採用個別的 2D 條碼，可由市售的標準條碼掃描器讀取。這不僅使 CGD 能夠掃描封裝裝置、識別電路與批號，還能準確瞭解每個個別晶片是在哪個晶圓上製造而成。這對於提供製程耐用度與可靠度的相關重要資料非常關鍵。

ZAHID ANSARI | CGD 營運副總裁

「我們與封裝團隊共同設計個別 2D 條碼的採用程序，因此我們能夠完全掌控整個流程，並解決任何可靠度問題。例如，我們知道晶圓邊緣的良率最低，現在我們可以看到晶圓上的位置對裝置會造成什麼樣的影響。我們可以將這些資訊回饋給代工廠，以利持續改進製程。

能夠使用價格低廉的市售條碼掃描器立即識別裝置，對於加快防偽措施也有重大意義，這將會引起高可靠度產品公司的極大興趣。」

GIORGIA LONGOBARDI | CGD 執行長

「儘管我們有大量資料能夠證明 ICeGaN™ HEMT 的耐用度與可靠度，但與用於電力電子裝置應用的傳統矽技術相比，GaN 依然是相對新穎的技術。透過整合2D 條碼後，我們能很快向製造供應鏈提供回饋意見，這有助於鞏固我們的關係，並擴大量產規模。」

關於 Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠半導體公司，由來自劍橋大學的 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士於 2016 年創立，公司成立宗旨是探索功率裝置中的革命性技術。本公司目前處於擴張階段，我們的使命是提供各種簡便節能的 GaN 解決方案，以便將創新成果帶入日常生活。CGD 從事 GaN 電晶體和 IC 的設計、開發及商業化，實現了能源效率和小型輕巧上的革命性變化，並使其適合量產。CGD 的 ICeGaN™ 技術受到強大的知識財產組合的保護，在公司領先業界的創新技能和雄心壯志帶領下不斷成長茁壯。除了數百萬的種子基金，以及 A 輪融資和 B 輪私人融資，CGD 迄今已有四項專案成功獲得 iUK、BEIS 和 EU (Penta) 的資助。CGD 團隊擁有的技術和商業專業知識，以及在電力電子市場受到廣泛肯定的良好記錄，是我們專利技術能從早期便吸引市場的基礎。

※ Cambridge GaN Devices(CGD)代理商 - 睿強實業

睿強實業股份有限公司為大中華區半導體元件代理商與解決方案供應商

CGD 將首次參與中國 PCIM Asia 展覽，發表易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列

Fri, 04 Aug 2023 02:18:47 -0700

CGD 將首次參與中國 PCIM Asia 展覽，發表易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列

歡迎於 8 月 29 至 31 日蒞臨上海新國際展覽中心 2G18 展位

【英國劍橋訊】Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，專門開發和量產一系列節能 GaN 型功率裝置，旨在實現更環保的電子元件，該公司將首次在中國唯一專門展示功率電子元件的 PCIM Asia 展覽會展出智慧運動、再生能源和能源管理領域的應用產品。CGD 同時將在中國首次發表易於使用、穩定可靠的 ICeGaN™ GaN HEMT 第 2 波系列產品，將在整個展位進行示範，並於活動期間發表主題演講，以及兩場技術應用簡報。

CGD 資深首席應用工程師 Martin Cheung 將於 8 月 29 日星期二上午 11:25 發表題為「減少高效能充電器拓撲中的穩態損耗」的講座，並於隔天 8 月 30 日星期三上午 10:55 發表「調校 GaN 切換效能及並行運作」的演說。

ANDREA BRICCONI | CGD 商務長

「中國和亞洲市場對 CGD 至關重要，我們將持續擴大產品組合，努力為全球市場提供創新、易用、堅固且可靠的 GaN 解決方案。CGD 將在中國的 PCIM Asia 展覽會首次展示我們的 H2 系列 ICeGaN™ HEMT 解決方案。我們榮幸首次參加亞洲最頂尖的功率應用展覽會，在現場與現有和潛在的新客戶會面，傾聽他們的應用現況，以利我們推出最合乎需求的解決方案。」

關於Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD)專注於GaN晶體管和IC的設計、開發和商業化運作，能夠激發能源效率和高密度層面的根本性變革，確保產品適合投入大量生產。我們的使命是透過提供節能易於使用的 GaN 解決方案，將創新帶入日常生活。 CGD 的 ICeGaN™ 技術已被證明適用於大批量生產，並且透過製造和客戶合作夥伴關係迅速擴大規模。CGD是一家由英國劍橋大學衍生而立的無晶圓廠半導體公司，其創始人 CEO Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍然與劍橋大學世界知名的高壓微電子和傳感器集團 (HVMS) 保持著密切聯繫。CGD致力於創新科技的發展，使得其 ICeGaN HEMT 技術受到強大且不斷增長的知識產權組合的保護。 CGD 團隊的技術和商業專長，加上在電力電子市場的廣泛業績，是市場接受其專有技術的基礎。

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CGD 技術長 FLORIN UDREA 再獲殊榮，入選 ISPSD 名人堂

Wed, 21 Jun 2023 01:10:00 -0700

【2023 年 6 月21 日英國劍橋訊】Cambridge GaN Devices (CGD) 是奉行潔淨科技的無晶圓廠半導體事業，專注開發節能 GaN 功率裝置，志在提高各式電子產品的環保性能。今天 CGD 榮幸宣布，公司共同創辦人暨技術長 Florin Udrea 教授，近期入選了 IEEE ISPSD (功率半導體器件國際研討會) 名人堂；名人堂旨在表彰致力推動功率半導體技術，及積極延續 ISPSD 成就卓然有成的各界人士。

表彰事由概如下述：「啟迪了一整個世代的工程師在功率半導體領域締造卓越成就，自身對於相關領域以及 ISPSD 本身同樣貢獻良多。」 Udrea 除了在 ISPSD 23 於香港舉行的年度名人堂成員表彰盛會正式獲獎之外，亦曾在 ISPSD 22 於加拿大舉行的典禮上囊括了「最佳論文」以及「最佳海報」殊榮 — 這是 ISPSD 成立 35 年以來，首次由同一人贏取了這兩大獎項。

FLORIN UDREA | CGD 技術長

「這次入選 ISPSD 名人堂，個人實感榮幸備至，非常自豪可以加入這群德高望重的業界菁英與先行者的陣容，這群前輩與先進於相關領域的成就個個顯赫非凡，體現了所謂的開拓精神。『功率』課題的關鍵地位，如今達到了空前的程度，能在這個時間點投入產業，既是我的榮幸，也是我的福氣。只要能善用 GaN 等新型 WBG 材料，人類整體文明定能進一步提高效率、具體減少碳足跡。」

GIORGIA LONGOBARDI | CGD 執行長

「Florin 獲獎，可謂當之無愧。他具備豐富的經驗與資歷，專長橫跨了多種功率材料 (矽、碳化矽、金剛石與氮化鎵)，CGD 非常幸運，如願邀請到這樣的人才擔任技術長；Florin 曾經召集劍橋大學高壓微電子與傳感器小組 (HVMS，High Voltage Microelectronics and Sensors) 發表的研究成果，至今仍讓我們受益無窮，目前 Florin 也持續擔任小組研究的領導人。CGD 創建事業的支柱之一乃是創新，而 Florin 著實是創新先驅。」

Udrea 教授在各式期刊與國際會議共計發表了 600 多篇論文，並且具備 200 件功率半導體器件和傳感器發明專利。2015 年，他當選英國皇家工程院院士。Udrea 近期在 ISPSD 會議期間榮膺最佳海報獎，科展海報的題目為「具感知與保護功能的智慧 ICeGaN™ 平台，強化了易用程度與」。CGD 650 V ICeGaN GaN HEMT 系列的穩定性、易用性與效率極大化，堪稱業界第一。ICeGaN 可作為平台技術，具備廣泛的應用範圍，從消費領域的電源供應，到工業領域的轉換器與反向器。Udrea 曾經憑藉劍橋大學發表的垂直 SiC FinFET 器件著作 (與日本 Misrise Technologies 和日本京都大學產學合作) 而獲頒最佳論文獎。

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永續發展應該成為職場的文化價值

Tue, 20 Jun 2023 01:53:16 -0700

近年來，每個人與工作的關係，都歷經了重大改變。對於很多人來說，新冠肺炎的疫情迫使我們反思，並且空前深刻地感受到，自己應當在企業文化的層面，理解並認同公司的基本價值觀。
Cambridge GaN Devices (CGD) 將所有同仁維繫在一起，最為強大的凝聚力，乃是公司對於核心價值觀的總體承諾，其中的「最關鍵因素」莫過於永續發展。吸引我加入 CGD 的真正原因，在於公司的核心價值觀 (還包括創新、知識、協作、承諾和勇氣) 深植於各部門的深處，而我接觸的每個人，也都對於公司的核心價值觀懷抱明顯熱情。
在這篇文章裡，我想要專注探討永續發展。這是相當重大且十分複雜的主題，特別對於規模相對較小的公司而言，不免涉及各種困難的決策，尤其。CGD 是專門開發節能 GaN 功率裝置的事業，志在推出更環保的電子產品。高效率電源供應裝置的推出，堪稱我們的重大進展，然而暫時還遠不足以實現永續發展與淨零 (排碳歸零) 排放。根據《溫室氣體盤查議定書》所載：「制定完整的 [溫室氣體] 排放清單，分類為範圍 1、範圍 2 以及範圍 3 排放，確保公司體認自身的完整價值鏈排放，並將工作重點放在盡力減排」。順便提醒一下，範圍 1 是直接歸因於公司本身活動的排放，範圍 2 與範圍 3 則是公司活動所衍生的排放，但排碳來源非由公司負責或控制。
為了確保所有同仁接受並確實執行永續發展的定義，永續發展必須成為大家的核心價值觀。任何人或任何公司都不該「將責任留給他人承擔」，這種態度將使得各種努力真正發揮效益的過程更為艱辛漫長。每個人都能有所作為，所有公司都應參與這項運動，貢獻一己之力。我們需要趁勢而為，不斷前進。
正如我前面所提，當初選擇加入 CGD，乃是考量到理想的文化價值觀 (包括永續發展) 已經深深融入整間公司；在某種程度上，永續發展始終都是領導階層的理念，但卻貫穿了整間公司。以我們的環境社會治理 (ESG) 委員會為例，這群志工由不同職能的部門員工組成。過去一年來，我們經歷了制定 ESG 政策聲明的歷程，最初的實際成果乃是提早取得了 ISO 14001 環境管理標準的認證。每家公司都同時承擔著時間以及資源壓力，如願取得認證相當不容易，但我們藉由 ISO 14001 認證的相關投資，證明我們在擴大規模的同時，也願意制定流程做出正確的決定、瞭解我們想達成的目標，同時持續追蹤進展。
永續發展不僅是我們執行長 Giorgia Longobardi 由衷相信的理念，其他人 (包括我自己) 也篤信不疑，這就是大家選擇在這個職場發揮自身專業的主因。我們不僅是綠色能源企業，我們做的每項決策，都以永續發展為考量：我們選擇目前的辦公地點是因為其綠色足跡；我們使用的印表機、鋼筆和鉛筆、文具等辦公室用品及清潔設備，全都符合環保原則，我們的標誌可回收，我們謹慎管理自己電子垃圾，我們採購的能源也都來自可再生資源。
同時我們也認知到，對任何公司而言，管理並減少範圍 1 與範圍 2 排放，只是挑戰的一小部分。本公司無廠半導體事業的足跡與理念，一併延伸至委外合作夥伴，雙方同樣樂於制定正確的政策和流程，追求永續發展。我們希望幫助其他公司踏上永續發展之路，與我們並肩同行。
回顧混合辦公與遠端工作並行的時代，當時大家開始領悟，同仁的工作與生活必須平衡兼顧，然而如今，將所有員工凝聚在一起的文化聯繫與共識，顯得更加重要。對 CGD 而言，致力於永續發展，是很強大的聯繫與共同承諾。所謂的永續，並不只是現階段最夯的流行詞彙，對於我們而言，永續發展除了是達成目標所必需，更是具體實踐綠色生活的焦點課題。為了預約自己的永續未來，必須跨出重要的一步，有意識地改變某些既有舊習，今後的行為也將很快隨之改變。假如每個人都能做到，這個世界當然也會更加美好。
關於 Cambridge GaN Devices
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Cambridge GaN Devices 第二代 ICeGaN ICs 提供最卓越的穩定耐用性、易於使用及高效率等特色

Fri, 12 May 2023 01:08:33 -0700

Cambridge GaN Devices 第二代 ICeGaN ICs 提供最卓越的穩定耐用性、易於使用及高效率等特色
穩定耐用、高效及類似 MOSFET 的驅動方式
2023 年 5 月 12 日
【英國劍橋訊】Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠無塵技術半導體公司，開發一系列節能的 GaN 型功率裝置，目標是實現更環保的電子裝置；CGD 今日宣布推出第二代的 ICeGaN™ 650 V 氮化鎵 HEMT 系列產品，提供領先業界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 採用 CGD 的智慧閘極介面，幾乎消除一般 E 模式 GaN 的各種弱點，大幅加強過電壓耐用性、提供更高的抗雜訊閾值，以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保護效果。新型 650 V H2 ICeGaN 電晶體與前代裝置相同，是以類似矽 MOSFET 的方式驅動，無需使用效率不彰的複雜電路，而是採用市面上供應的工業閘極驅動器。最後 H2 ICeGaN HEMT 的 QG 比矽製零件低 10 倍，QOSS 則低 5 倍，因此 H2 ICeGaN HEMT 能夠在高切換頻率情況下大幅減少切換損耗，有助於縮減尺寸及重量。這實現了領先同類產品的效率及效能，在 SMPS 應用中比業界最佳的矽 MOSFET 整整高出 2%。
GIORGIA LONGOBARDI | CGD 執行長暨共同創辦人
「CGD 已透過 H2 系列 ICeGaN 建立創新領導定位。維吉尼亞理工大學 (Virginia Tech) 所做的獨立研究已經證實 ICeGaN 是業界最穩定耐用的 GaN 裝置；至於在易用程度方面，則可像標準矽 MOSFET 一樣驅動，因此消除了會減緩市場接受速度的學習曲線問題。GaN 的效率已經廣為人知，而 ICeGaN 在滿載範圍內表現都相當出色。」
ICeGaN H2 系列採用創新的 NL3 (無載及輕載) 電路，與 GaN 開關一同於晶片內建整合，提供創紀錄的低功率損耗。先進的箝位結構搭配整合式米勒箝位 (Miller Clamp) 電路 (同樣內建於晶片)，無需使用負閘極電壓，因此可實現真正的零電壓關斷，並提升動態 RDS(ON) 效能。這類 E 模式 (通常為關閉) 單晶片 GaN HEMT 包含單體整合介面及保護電路，提供無可比擬的閘極可靠度及設計簡易度。最後電流感測功能可減少功率耗散，並可直接與接地連接，實現最佳的冷卻及 EMI。
GIORGIA LONGOBARDI | CGD 執行長暨共同創辦人
「CGD 已克服一般減緩採用新型技術的所有挑戰。此外，我們現在也做好準備，透過成熟供應鏈供應 H2 系列 ICeGaN 電晶體以滿足大眾市場。」
關於 Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠半導體公司，由來自劍橋大學的 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士於 2016 年創立，公司成立宗旨是探索功率裝置中的革命性技術。我們的使命提供最高效且易用的電晶體，來塑造電力電子的未來。CGD 從事 GaN 電晶體和 IC 的設計、開發及商業化，為這些裝置帶來能效和輕巧性上的根本性變化，並使其適合量產。CGD 技術受到強大的知識財產組合的保護，在公司領先業界的創新技能和雄心壯志帶領下不斷成長茁壯。除了數百萬的種子基金，以及 A 輪融資和現在的 B 輪私人融資，CGD 迄今已有四項專案成功獲得 iUK、BEIS 和 EU (Penta) 的資助。CGD 團隊擁有的技術和商業專業知識，以及在電力電子市場受到廣泛肯定的良好記錄，是我們專利技術能從早期便吸引市場的基礎。
Cambridge GaN Devices執行長Giorgia Longobardi
我們處於幸運的位置。氮化鎵(GaN)是一種較新的技術，最近五年才發展成為傳統矽產品的替代選擇，廣泛用於功率半導體。也許這與「萬物電氣化」和「綠色」運動，以及全球對永續發展的渴望不謀而合。我們公司Cambridge GaN Devices (CGD)於恰好的時間點出現在適當的位置，全世界(或更具體來說電力工程師)都準備好要關注新構想。
我不是典型的功率半導體執行長，我年輕，有不同的看法。我滿懷熱情並全心投入建設永續發展未來的現實和必要性。我們從設立大學計畫，發展成現在的狀態，成為一家向全球領導品牌客戶提供數百萬生產規模的公司，都是因為我們敢於與眾不同。
我舉個例子：多元化。在CGD，我們的員工來源非常多元，涵蓋各個年齡、性別、國籍、種族和文化。但每次我遇到新進員工時，他們都會說相同的話：「我希望公司能聽到我的聲音。」這就是我的目的：我建立了一個團隊，成員擁有與我互補的技能，我給他們犯錯的空間，讓他們能學習和創新。我採行開放的政策，並開創鼓勵人們對話、挑戰和抱持異議的文化。藉由這種方式，我們已建立一個有凝聚力的團隊，裡面不只有年輕工程師，還有擁有20年經驗的資深員工組成，所有人都同樣積極主動，每個人都躍躍欲試，願意和我並肩作戰，因為他們相信我們的使命。
但要進行創新，不僅要有多元化的團隊，還必須滋養這種多元化。我非常喜歡「滋養」這個詞。這是什麼意思？我再舉一個例子，育嬰假政策。當我們出現第一位懷孕的員工時，我們達成協議，希望有公平的政策。我們研究了國家福利，發現英國正處於歐洲的最低水準。因此，我們展開對話並想出一項計畫，確保該員工得到公平和適當的對待，於是員工得到滋養。
我們來看看我們的核心支柱價值觀，先從知識開始。我們很自豪能加入由客戶、製造和應用合作夥伴組成的社群，一同分享資訊並建構知識資源。有個例子出現在最近的Electronica展覽會上，我們宣佈與智慧行動、半導體和連接解決方案電子領域的國際性創新公司Neways達成協議，開發以GaN為基礎的高效太陽能光電逆變器產品。兩家公司的合作夥伴關係已經開花結果，共同開發出3kW太陽能光電逆變器。
永續發展是我們最顯而易見的核心支柱：貫穿於整個公司文化。這是CGD每位員工真正共有的承諾。儘管方式不同，但每個人都說：「我想成為發展出下一項重要科技的公司的一分子。我也希望對環境產生正面的影響，讓生活變得更美好。」身為領導者，我的任務是建立團隊，當中每個人都堅守這份承諾和信任，也有意願參與這趟旅程。我們真心相信我們可以做出改變，除了推出具有GaN的高效晶片，也將永續發展融入我們所有的營運，以及我們的行事和業務之中。
責任是最基本的價值觀，決定了我們對員工、合作夥伴和客戶，以及我們對直接環境和宏觀環境的態度。這項價值觀最基本，絕不能視為理所當然。
創新是CGD的最後一個核心支柱。有人可能會以為，所有GaN裝置都大同小異，但事實絕非如此。身為後期才進入市場的公司，我們體認到我們必須提供一些不同的東西，創新工程師都喜歡更高的功率和效率，還有更小的GaN尺寸，但初期的GaN電晶體在驅動時卻需要特別小心和關注。CGD著眼於此一難題，推出業界首創易於使用且可擴充的650V GaN HEMT系列。此外，我們的ICeGaN™可望通過認證，成為業界最堅固可靠的GaN平台。
與其他獨立式或混合解決方案不同，CGD的ICeGaN...Read More

付出勇气，开拓创新，创造非凡

Wed, 12 Apr 2023 01:50:38 -0700

创新需要我们以不同的方式应对挑战。这需要勇气，甚至需要胆识，以此打破传统及公认的思维方式，另辟蹊径。然而，这正是创新者必须经历的过程，接受过程中的错误也是学习的一部分……错误则让人进步。因此，对于领导力来说，创造一个可以促进创新的环境是一项十分具体的挑战。
作为首席执行官，我认为，我们需要通过良好完善的核心价值观来建构公司，但也要要包容差异，这样才能出现各不相同的想法，对发展初期的公司来说尤甚。通过这种途径，只要我们勇于接受差异，新的创新解决方案就会出现。

我们生而逢时。氮化镓 (GaN) 是一种相对较新的技术，过去的五年时间里才成为成熟的传统硅替代品，在功率半导体中广泛使用。或许这也与“万物电气化”、“绿色”运动以及全球提升可持续性的愿望密不可分。当世界（更确切地为电力工程师）准备关注新的想法时，我们的公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 恰到好处地出现在了正确的位置。
我并非是一位具有代表性的功率半导体公司首席执行官。我年轻且不拘泥于常规。对于建设可持续未来的现实以及必要性，我充满热情并全身心投入其中。从大学项目到现在，我们已然成为一家向全球领先品牌以数百万生产规模进行交付的公司。这一路走来，需要我们敢于标新创异。
举个例子，那就是多元化。在 CGD，员工的年龄、性别、民族、种族和文化背景多样广泛。然而，我每次遇到新员工时，他们都会向我传递一个观念：“我想让大家了解我的想法。”我也采取了一些措施：我的团队成员拥有各类技能，刚好与我形成互补；我为他们提供试错的空间，从而让他们学习和创新。我制定了一个“开门”的政策——在没有会议的情况下，我的办公室门一直敞开——为的是鼓励团队成员大胆走进来，提出他们的想法，敢于挑战和提出反对意见的文化。通过这种方式，我们建立了一个有着相同目标的团队，该团队由年轻工程师以及有着 20 年工作经验的资深人员组成，充满凝聚力。团队成员对我们正在开展的事业深信不疑，都卷起袖子努力工作，愿意与我共同奋斗。
若要实现创新，不仅需要拥有一支多元化的团队，还必须培育多元文化。我非常喜欢“培育”这个词语。为什么这么说？一个例子是育儿假政策。当团队中首次有员工怀孕时，团队成员一致认为我们需要制定一个公平的政策。我们浏览了相关福利政策，并意识到英国的福利政策在欧洲则处于较低水平。因此，我们进行了商讨，制定了方案，确保员工得到公平合理的待遇。这让团队成员感受到了“培育”的力量。
接下来，让我们来了解一下我们的核心价值观，首先是知识。我们的客户、制造及应用合作伙伴组成了规模庞大的社群，我们会分享信息并构建知识资源。能够成为社群的一部分，我们感到十分自豪。在近期举办的 Electronica 展会上，我们宣布与智能移动、半导体和连接解决方案领域的国际性创新公司 Neways 达成协议，联合开发基于 GaN 的高效太阳能光伏逆变器产品。两家公司的合作伙伴关系已经开花结果，共同开发出已开发出一款3kW 光伏逆变器。
可持续性是我们最引人注目的核心支柱业务：这一价值观贯穿了公司文化。这也是 CGD 每一位员工共同坚守的真实承诺。尽管表达方式不同，但员工们都表示：“我希望成为全新大型科技公司的一份子，但我也希望对环境产生积极影响，让世界变得更加美好。”作为领导人员，我的工作是在承诺和信任的基础上建立团队，并愿意参与这一旅程。我们坚信，通过提供 GaN...Read More

Cambridge GaN Devices執行長表示與眾不同的創新需要勇氣

Tue, 21 Mar 2023 01:43:48 -0700

本篇為Cambridge GaN Devices執行長Giorgia Longobardi專訪，以下就專訪內容進行分享。Giorgia Longobardi表示：「要實現創新，必須以截然不同的方式面對挑戰。但要與傳統普世思維背道而馳，走出另一條路，不只需要勇氣，甚至還要膽量。然而，這正是創新者必須做的，即使一路跌跌撞撞，也是學習的一部分，不犯錯就無法進步。因此，創造有助於創新的環境，對領導者來說是一項非常具體的挑戰。」
Giorgia Longobardi的觀點是，尤其是對於一家年輕的公司來說，公司需要建立在建構良好的核心價值觀之上，接著還要擁抱分歧，以激起不同的思維。選擇這條路，創新的新解決方案便會出現，然後我們還要有足夠的勇氣去接受。
Cambridge GaN Devices處於幸運的位置。氮化鎵(GaN)是一種較新的技術，最近五年才發展成為傳統矽產品的替代選擇，廣泛用於功率半導體。也許這與「萬物電氣化」和「綠色」運動，以及全球對永續發展的渴望不謀而合。 Cambridge GaN Devices(CGD)於恰好的時間點出現在適當的位置，全世界 (或更具體來說電力工程師) 都準備好要關注新構想。
他表示：「我不是典型的功率半導體執行長，我年輕，有不同的看法。我滿懷熱情並全心投入建設永續發展未來的現實和必要性。我們從設立大學計劃，發展成現在的狀態，成為一家向全球領導品牌客戶提供量產產品 (數百萬部裝置) 的公司，都是因為我們敢於與眾不同。」
他舉例說明：「多元化。在CGD，我們的員工來源非常多元，涵蓋個個年齡、性別、國籍、種族和文化。但每次我遇到新進員工時，他們都會說相同的話：「我希望公司能聽到我的聲音。」這就是我的目的：我建立了一個團隊，成員擁有與我互補的技能，我給他們犯錯的空間，讓他們能學習和創新。我採行開放的政策，並開創鼓勵人們對話、挑戰和抱持異議的文化。藉由這種方式，我們已建立一個有凝聚力的團隊，裡面不只有年輕工程師，還有擁有20年經驗的老鳥，所有人都同樣積極主動，每個人都躍躍欲試，願意和我並肩作戰，因為他們相信我們的使命。」
並補充道：「但要進行創新，不僅要有多元化的團隊，還必須滋養這種多元化。我非常喜歡「滋養」這個詞。這是什麼意思？我再舉一個例子，育嬰假政策。當我們出現第一位懷孕的員工時，我們達成協議，希望有公平的政策。我們研究了國家福利，發現英國正處於歐洲的最低水準。因此，我們展開對話並想出一項計劃，確保該員工得到公平和適當的對待，於是員工得到滋養。」
他接著表示：「我們來看看我們的核心支柱價值觀，先從知識開始。我們很自豪能加入由客戶、製造和應用合作夥伴組成的社群，一同分享資訊並建構知識資源。有個例子出現在最近的 Electronica 展覽會上，我們宣布與智慧行動、半導體和連接解決方案電子領域的國際性創新公司 Neways 達成協議，開發以GaN為基礎的高效太陽能光電逆變器產品。兩家公司的合作夥伴關係已經開花結果，共同開發出3kW太陽能光電逆變器。」
永續發展是我們最顯而易見的核心支柱：貫穿於整個公司文化。這是CGD每位員工真正共有的承諾。儘管方式不同，但每個人都說：「我想成為發展出下一項重要科技的公司的一分子。我也希望對環境產生正面的影響，讓生活變得更美好。」身為領導者，我的任務是建立團隊，當中每個人都堅守這份承諾和信任，也有意願參與這趟旅程。我們真心相信我們可以做出改變，除了推出具有GaN的高效晶片，也將永續發展融入我們所有的營運，以及我們的行事和業務之中。責任是最基本的價值觀，決定了對員工、合作夥伴和客戶，以及對直接環境和宏觀環境的態度。這項價值觀最基本，絕不能視為理所當然。
創新是CGD的最後一個核心支柱。有人可能會以為，所有GaN裝置都大同小異，但事實絕非如此。身為後期才進入市場的公司，體認到必須提供一些不同的東西，創新工程師都喜歡更高的功率和效率，還有更小的GaN尺寸，但初期的GaN電晶體在驅動時卻需要特別小心和關注。CGD著眼於此一難題，推出業界首創易於使用且可擴充的650 V GaN HEMT系列。此外，我們的ICeGaN有望通過認證，成為業界最堅固可靠的GaN平台。
與其他獨立式或混合解決方案不同，CGD的ICeGaN HEMT 是完全整合的純GaN 裝置，內部GaN介面連接在閘極上。這意味著裝置穩定、可靠且易於驅動，使用標準的矽MOSFET驅動器。設計也消除了開啟時損壞的風險，且裝置可在高達 20V的延伸電壓範圍內使用。也相信這會是業界最堅固耐用的GaN裝置，Cambridge GaN...Read More

CAMBRIDGE GaN DEVICES 在 2023 年 APEC 大會上展示電力電子裝置的永續未來

Sun, 19 Mar 2023 22:18:34 -0700

CAMBRIDGE GaN DEVICES 在 2023 年 APEC 大會上展示電力電子裝置的永續未來
3 月 19 日星期日至 3 月 23 日星期四，佛羅里達州奧蘭多橘郡會議中心
【英國劍橋訊】Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保技術半導體公司，致力於開發一系列節能的 GaN 式電力裝置，目標是讓電子元件變得更環保，該公司將在應用電子電力大會 (APEC) 上提出多篇論文，涵蓋關於永續發展的策略觀點並深入進行技術分析。公司主管人員將在 305 號展位主持兩場會議，CGD 將使用通過驗證的參考設計和評估板，並透過新建立和既有的 GaN 生態系統合作夥伴進行展示。
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GIORGIA LONGOBARDI | CGD 執行長
「電力電子產業和整個世界現在逐漸認知到，氮化鎵技術將在實現更高效率、高效能和更輕巧的永續電子解決方案過程中扮演關鍵角色。在 APEC 等重要國際活動中，我們有機會向來自各行各業和市場的觀眾說明並展示我們的技術。」
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CGD 將在 APEC 中展示四篇論文：
3 月 21 日星期二，上午 11:05-11:30 –「GaN 動態 Rds(ON) 概觀和 0V GOFF 在實際應用中的量化效能優勢」，由 CGD 應用工程總監 Peter Comiskey 主持。
3 月 21 日星期二，上午 11:05-11:30 –「運用 GaN 實現碳目標」，由 CGD 執行長 Giorgia Longobardi 主持。
3 月 21 日星期二，下午 1:30-2:00 – 參展商研討會：「ICeGaN™ 650V 功率 GaN IC 將高功率應用的效率、耐用性和可靠性提升到全新層次」，由 CGD 執行長 Giorgia Longobardi 主持。
3 月 23 日星期四，下午 3:00-3:25 –「具有出色閘極過電壓耐用性的 GaN HEMT」，由維吉尼亞理工大學和 CGD 創新與研究總監 Daniel Popa 主持。
美洲分公司業務開發部副總裁 Peter DiMaso 將在 3 月 23 日星期四上午 8:30 (美國東部標準時間) 主持以 WBG 應用為題的 IS19 會議，另外應用工程總監 Peter Comiskey 將在 3 月 23 日下午 1:45 (美國東部標準時間) 主持以寬能隙 (WBG) 裝置為題的 IS25 會議。
CGD 將在 305 號展位上進行一系列展示，展出業界首個簡單易用且可擴充的 650 V GaN HEMT 系列。ICeGaN™ H1 單晶片 eMode HEMT 可像 MOSFET 一樣驅動，不需要特殊的閘極驅動器、複雜且有損耗的驅動電路，沒有負電壓電源要求，也不需要額外的箝位元件。展示內容包括半橋、350W LLC、350W PFC、65W QRF 和 3kW LLC 評估電路，加上熱展示，以及與 Neways 合作使用 GaN 開發的 3kV 光電太陽能逆變器範例。
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ANDREA BRICCONI | CGD...Read More

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付出勇气，开拓创新，创造非凡

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