broken image
broken image
  • 首頁
  • 競爭優勢
  • 產業應用
  • 代理產品線
  • 新聞
  • 聯絡我們
  • …  
    • 首頁
    • 競爭優勢
    • 產業應用
    • 代理產品線
    • 新聞
    • 聯絡我們
    English
    broken image
    broken image
    • 首頁
    • 競爭優勢
    • 產業應用
    • 代理產品線
    • 新聞
    • 聯絡我們
    • …  
      • 首頁
      • 競爭優勢
      • 產業應用
      • 代理產品線
      • 新聞
      • 聯絡我們
      English
      broken image

      CAMBRIDGE GaN DEVICES 在 2023 年 APEC 大會上展示電力電子裝置的永續未來

      3 月 19 日星期日至 3 月 23 日星期四,佛羅里達州奧蘭多橘郡會議中心

      CAMBRIDGE GaN DEVICES 在 2023 年 APEC 大會上展示電力電子裝置的永續未來

      3 月 19 日星期日至 3 月 23 日星期四,佛羅里達州奧蘭多橘郡會議中心

      【英國劍橋訊】Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保技術半導體公司,致力於開發一系列節能的 GaN 式電力裝置,目標是讓電子元件變得更環保,該公司將在應用電子電力大會 (APEC) 上提出多篇論文,涵蓋關於永續發展的策略觀點並深入進行技術分析。公司主管人員將在 305 號展位主持兩場會議,CGD 將使用通過驗證的參考設計和評估板,並透過新建立和既有的 GaN 生態系統合作夥伴進行展示。

      ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

      GIORGIA LONGOBARDI | CGD 執行長

      「電力電子產業和整個世界現在逐漸認知到,氮化鎵技術將在實現更高效率、高效能和更輕巧的永續電子解決方案過程中扮演關鍵角色。在 APEC 等重要國際活動中,我們有機會向來自各行各業和市場的觀眾說明並展示我們的技術。」

      ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

      CGD 將在 APEC 中展示四篇論文:

      • 3 月 21 日星期二,上午 11:05-11:30 –「GaN 動態 Rds(ON) 概觀和 0V GOFF 在實際應用中的量化效能優勢」,由 CGD 應用工程總監 Peter Comiskey 主持。
      • 3 月 21 日星期二,上午 11:05-11:30 –「運用 GaN 實現碳目標」,由 CGD 執行長 Giorgia Longobardi 主持。
      • 3 月 21 日星期二,下午 1:30-2:00 – 參展商研討會:「ICeGaN™ 650V 功率 GaN IC 將高功率應用的效率、耐用性和可靠性提升到全新層次」,由 CGD 執行長 Giorgia Longobardi 主持。
      • 3 月 23 日星期四,下午 3:00-3:25 –「具有出色閘極過電壓耐用性的 GaN HEMT」,由維吉尼亞理工大學和 CGD 創新與研究總監 Daniel Popa 主持。

      美洲分公司業務開發部副總裁 Peter DiMaso 將在 3 月 23 日星期四上午 8:30 (美國東部標準時間) 主持以 WBG 應用為題的 IS19 會議,另外應用工程總監 Peter Comiskey 將在 3 月 23 日下午 1:45 (美國東部標準時間) 主持以寬能隙 (WBG) 裝置為題的 IS25 會議。

      CGD 將在 305 號展位上進行一系列展示,展出業界首個簡單易用且可擴充的 650 V GaN HEMT 系列。ICeGaN™ H1 單晶片 eMode HEMT 可像 MOSFET 一樣驅動,不需要特殊的閘極驅動器、複雜且有損耗的驅動電路,沒有負電壓電源要求,也不需要額外的箝位元件。展示內容包括半橋、350W LLC、350W PFC、65W QRF 和 3kW LLC 評估電路,加上熱展示,以及與 Neways 合作使用 GaN 開發的 3kV 光電太陽能逆變器範例。

      ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

      ANDREA BRICCONI | CGD 商務長

      「對電力電子工程師來說,這是一個令人興奮的時刻,CGD 希望盡可能與各位交流,聽取大家的想法,同時分享我們的技術。」

      ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

      關於 Cambridge GaN Devices

      Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠半導體公司,由來自劍橋大學的 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士於 2016 年創立,公司成立宗旨是探索功率裝置中的革命性技術。我們的使命提供最高效且易用的電晶體,來塑造電力電子的未來。CGD 從事 GaN 電晶體和 IC 的設計、開發及商業化,為這些裝置帶來能效和輕巧性上的根本性變化,並使其適合量產。CGD 技術受到強大的知識財產組合的保護,在公司領先業界的創新技能和雄心壯志帶領下不斷成長茁壯。除了數百萬的種子基金,以及 A 輪融資和現在的 B 輪私人融資,CGD 迄今已有四項專案成功獲得 iUK、BEIS 和 EU (Penta) 的資助。CGD 團隊擁有的技術和商業專業知識,以及在電力電子市場受到廣泛肯定的良好記錄,是我們專利技術能從早期便吸引市場的基礎。

       

      ※ Cambridge GaN Devices(CGD) 代理商-睿強實業

      睿強實業股份有限公司為大中華區半導體元件代理商與解決方案供應商

       

      訂閱
      上一篇
      Cambridge GaN Devices融資1900 萬美元以擴大 500 億美元的功率半導體裝置市場
      下一篇
      Cambridge GaN Devices執行長表示 與眾不同的創新需要勇氣
       返回網站
      strikingly iconStrikingly出品
      Cookie的使用
      我們使用cookie來改善瀏覽體驗、保證安全性和資料收集。一旦點擊接受,就表示你接受這些用於廣告和分析的cookie。你可以隨時更改你的cookie設定。 了解更多
      全部接受
      設定
      全部拒絕
      Cookie 設定
      必要的Cookies
      這些cookies支援安全性、網路管理和可訪問性等核心功能。這些cookies無法關閉。
      分析性Cookies
      這些cookies幫助我們更了解訪客與我們網站的互動情況,並幫助我們發現錯誤。
      偏好的Cookies
      這些cookies允許網站記住你的選擇,以提升功能性與個人化。
      儲存