Cambridge GaN Devices 第二代 ICeGaN ICs 提供最卓越的穩定耐用性、易於使用及高效率等特色
穩定耐用、高效及類似 MOSFET 的驅動方式
2023 年 5 月 12 日
【英國劍橋訊】Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠無塵技術半導體公司，開發一系列節能的 GaN 型功率裝置，目標是實現更環保的電子裝置；CGD 今日宣布推出第二代的 ICeGaN™ 650 V 氮化鎵 HEMT 系列產品，提供領先業界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 採用 CGD 的智慧閘極介面，幾乎消除一般 E 模式 GaN 的各種弱點，大幅加強過電壓耐用性、提供更高的抗雜訊閾值，以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保護效果。新型 650 V H2 ICeGaN 電晶體與前代裝置相同，是以類似矽 MOSFET 的方式驅動，無需使用效率不彰的複雜電路，而是採用市面上供應的工業閘極驅動器。最後 H2 ICeGaN HEMT 的 QG 比矽製零件低 10 倍，QOSS 則低 5 倍，因此 H2 ICeGaN HEMT 能夠在高切換頻率情況下大幅減少切換損耗，有助於縮減尺寸及重量。這實現了領先同類產品的效率及效能，在 SMPS 應用中比業界最佳的矽 MOSFET 整整高出 2%。
GIORGIA LONGOBARDI | CGD 執行長暨共同創辦人
「CGD 已透過 H2 系列 ICeGaN 建立創新領導定位。維吉尼亞理工大學 (Virginia Tech) 所做的獨立研究已經證實 ICeGaN 是業界最穩定耐用的 GaN 裝置；至於在易用程度方面，則可像標準矽 MOSFET 一樣驅動，因此消除了會減緩市場接受速度的學習曲線問題。GaN 的效率已經廣為人知，而 ICeGaN 在滿載範圍內表現都相當出色。」
ICeGaN H2 系列採用創新的 NL3 (無載及輕載) 電路，與 GaN 開關一同於晶片內建整合，提供創紀錄的低功率損耗。先進的箝位結構搭配整合式米勒箝位 (Miller Clamp) 電路 (同樣內建於晶片)，無需使用負閘極電壓，因此可實現真正的零電壓關斷，並提升動態 RDS(ON) 效能。這類 E 模式 (通常為關閉) 單晶片 GaN HEMT 包含單體整合介面及保護電路，提供無可比擬的閘極可靠度及設計簡易度。最後電流感測功能可減少功率耗散，並可直接與接地連接，實現最佳的冷卻及 EMI。
GIORGIA LONGOBARDI | CGD 執行長暨共同創辦人
「CGD 已克服一般減緩採用新型技術的所有挑戰。此外，我們現在也做好準備，透過成熟供應鏈供應 H2 系列 ICeGaN 電晶體以滿足大眾市場。」
關於 Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠半導體公司，由來自劍橋大學的 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士於 2016 年創立，公司成立宗旨是探索功率裝置中的革命性技術。我們的使命提供最高效且易用的電晶體，來塑造電力電子的未來。CGD 從事 GaN 電晶體和 IC 的設計、開發及商業化，為這些裝置帶來能效和輕巧性上的根本性變化，並使其適合量產。CGD 技術受到強大的知識財產組合的保護，在公司領先業界的創新技能和雄心壯志帶領下不斷成長茁壯。除了數百萬的種子基金，以及 A 輪融資和現在的 B 輪私人融資，CGD 迄今已有四項專案成功獲得 iUK、BEIS 和 EU (Penta) 的資助。CGD 團隊擁有的技術和商業專業知識，以及在電力電子市場受到廣泛肯定的良好記錄，是我們專利技術能從早期便吸引市場的基礎。
※ Cambridge GaN Devices（CGD） 代理商 - 睿強實業
睿強實業股份有限公司為大中華區半導體元件代理商與解決方案供應商
