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      All Categories - 睿強實業股份有限公司

      CAMBRIDGE GAN DEVICES 與工業技術研究院簽署合作備忘錄 共同開發氮化鎵(GaN)電源

      30 maja 2024
      CAMBRIDGE GAN DEVICES 與工業技術研究院簽署合作備忘錄 共同開發氮化鎵(GaN)電源 為電動汽車、電動工具、筆記型電腦和手機應用開發功率密度超過30 W/in3的140...

      Cambridge GaN Devices 推出獨特2D 條碼,提升製程的耐用度與可靠度

      22 września 2023
      Cambridge GaN Devices 推出獨特2D 條碼,提升製程的耐用度與可靠度 CGD 率先推出可由市售條碼掃描器讀取的個別 GaN 晶片 2D 條碼,用於識別晶圓上的 IC 製造...

      CGD 將首次參與中國 PCIM Asia 展覽,發表易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列

      4 sierpnia 2023
      CGD 將首次參與中國 PCIM Asia 展覽,發表易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列 歡迎於 8 月 29 至 31 日蒞臨上海新國際展覽中心 2G18 展位 【英國劍...

      CGD 技術長 FLORIN UDREA 再獲殊榮,入選 ISPSD 名人堂

      21 czerwca 2023
      【2023 年 6 月21 日英國劍橋訊】Cambridge GaN Devices (CGD) 是奉行潔淨科技的無晶圓廠半導體事業,專注開發節能 GaN 功率裝置,志在提高各式電子產品的環保性...

      永續發展應該成為職場的文化價值

      20 czerwca 2023
      近年來,每個人與工作的關係,都歷經了重大改變。對於很多人來說,新冠肺炎的疫情迫使我們反思,並且空前深刻地感受到,自己應當在企業文化的層面,理解並認同公司的基本價值觀。 Cambridge...

      Cambridge GaN Devices 第二代 ICeGaN ICs 提供最卓越的穩定耐用性、易於使用及高效率等特色

      12 maja 2023
      Cambridge GaN Devices 第二代 ICeGaN ICs 提供最卓越的穩定耐用性、易於使用及高效率等特色 穩定耐用、高效及類似 MOSFET 的驅動方式 2023 年 5...

      實踐與眾不同的創新需要勇氣

      19 kwietnia 2023
      要實現創新,必須以截然不同的方式面對挑戰。但要與傳統普世思維背道而馳,走出另一條路,不只需要勇氣,甚至還要膽量。然而,這正是創新者必須做的,即使一路跌跌撞撞,也是學習的一部分,不犯錯就無法進步。...

      付出勇气,开拓创新,创造非凡

      12 kwietnia 2023
      创新需要我们以不同的方式应对挑战。这需要勇气,甚至需要胆识,以此打破传统及公认的思维方式,另辟蹊径。然而,这正是创新者必须经历的过程,接受过程中的错误也是学习的一部分……错误则让人进步。因此,对...

      Cambridge GaN Devices執行長表示 與眾不同的創新需要勇氣

      21 marca 2023
      本篇為Cambridge GaN Devices執行長Giorgia Longobardi專訪,以下就專訪內容進行分享。Giorgia Longobardi表示:「要實現創新,必須以截然不同的方...

      CAMBRIDGE GaN DEVICES 在 2023 年 APEC 大會上展示電力電子裝置的永續未來

      20 marca 2023
      CAMBRIDGE GaN DEVICES 在 2023 年 APEC 大會上展示電力電子裝置的永續未來 3 月 19 日星期日至 3 月 23 日星期四,佛羅里達州奧蘭多橘郡會議中心 ...

      Cambridge GaN Devices融資1900 萬美元以擴大 500 億美元的功率半導體裝置市場

      22 listopada 2022
      Cambridge GaN Devices融資1900 萬美元以擴大 500 億美元的功率半導體裝置市場 由 Parkwalk Advisors 和 BGF 主導的募資將使 CGD 實現氮...

      一文带你了解氮化镓市场和轻松取代硅 MOSFET 的氮化镓技术(下半期)

      28 lipca 2022
      上期内容回顾: CGD 研发的技术既兼具 cascode 的易用性,又兼具 e-mode GaN 的简单,规避了之前(一文带你了解氮化镓市场和轻松取代硅 MOSFET 的氮化镓技术(上半期)...

      一文带你了解氮化镓市场和轻松取代硅 MOSFET 的氮化镓技术(上半期)

      18 lipca 2022
      导语:今天的主题是氮化镓和氮化镓晶体管。氮化镓是一种宽禁带半导体材料,正逐步应用于部分功率电子器件中。氮化镓具有优越的特质,与硅相比,它具有更高的功率密度,耐高温性,和更高的开关频率。氮化镓极大...

      Cambridge GaN Devices攜產品亮相APEC

      29 marca 2022
      CGD攜ICeGaN 650V H1系列首次亮相應用功率電子會議(APEC),該系列內含四款650V產品,能夠充分發揮氮化鎵(GaN)強大技術優勢。  CGD的公司使命是透過提供節能易用...
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