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CAMBRIDGE GAN DEVICES 與工業技術研究院簽署合作備忘錄共同開發氮化鎵（GaN）電源

2024年5月30日

CAMBRIDGE GAN DEVICES 與工業技術研究院簽署合作備忘錄共同開發氮化鎵（GaN）電源為電動汽車、電動工具、筆記型電腦和手機應用開發功率密度超過30 W/in3的140...

Cambridge GaN Devices 推出獨特2D 條碼，提升製程的耐用度與可靠度

2023年9月22日

Cambridge GaN Devices 推出獨特2D 條碼，提升製程的耐用度與可靠度 CGD 率先推出可由市售條碼掃描器讀取的個別 GaN 晶片 2D 條碼，用於識別晶圓上的 IC 製造...

CGD 將首次參與中國 PCIM Asia 展覽，發表易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列

2023年8月4日

CGD 將首次參與中國 PCIM Asia 展覽，發表易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列歡迎於 8 月 29 至 31 日蒞臨上海新國際展覽中心 2G18 展位【英國劍...

CGD 技術長 FLORIN UDREA 再獲殊榮，入選 ISPSD 名人堂

2023年6月21日

【2023 年 6 月21 日英國劍橋訊】Cambridge GaN Devices (CGD) 是奉行潔淨科技的無晶圓廠半導體事業，專注開發節能 GaN 功率裝置，志在提高各式電子產品的環保性...

永續發展應該成為職場的文化價值

2023年6月20日

近年來，每個人與工作的關係，都歷經了重大改變。對於很多人來說，新冠肺炎的疫情迫使我們反思，並且空前深刻地感受到，自己應當在企業文化的層面，理解並認同公司的基本價值觀。 Cambridge...

Cambridge GaN Devices 第二代 ICeGaN ICs 提供最卓越的穩定耐用性、易於使用及高效率等特色

2023年5月12日

Cambridge GaN Devices 第二代 ICeGaN ICs 提供最卓越的穩定耐用性、易於使用及高效率等特色穩定耐用、高效及類似 MOSFET 的驅動方式 2023 年 5...

實踐與眾不同的創新需要勇氣

2023年4月19日

要實現創新，必須以截然不同的方式面對挑戰。但要與傳統普世思維背道而馳，走出另一條路，不只需要勇氣，甚至還要膽量。然而，這正是創新者必須做的，即使一路跌跌撞撞，也是學習的一部分，不犯錯就無法進步。...

付出勇气，开拓创新，创造非凡

2023年4月12日

创新需要我们以不同的方式应对挑战。这需要勇气，甚至需要胆识，以此打破传统及公认的思维方式，另辟蹊径。然而，这正是创新者必须经历的过程，接受过程中的错误也是学习的一部分……错误则让人进步。因此，对...

Cambridge GaN Devices執行長表示與眾不同的創新需要勇氣

2023年3月21日

本篇為Cambridge GaN Devices執行長Giorgia Longobardi專訪，以下就專訪內容進行分享。Giorgia Longobardi表示：「要實現創新，必須以截然不同的方...

CAMBRIDGE GaN DEVICES 在 2023 年 APEC 大會上展示電力電子裝置的永續未來

2023年3月20日

CAMBRIDGE GaN DEVICES 在 2023 年 APEC 大會上展示電力電子裝置的永續未來 3 月 19 日星期日至 3 月 23 日星期四，佛羅里達州奧蘭多橘郡會議中心 ...

Cambridge GaN Devices融資1900 萬美元以擴大 500 億美元的功率半導體裝置市場

2022年11月22日

Cambridge GaN Devices融資1900 萬美元以擴大 500 億美元的功率半導體裝置市場由 Parkwalk Advisors 和 BGF 主導的募資將使 CGD 實現氮...

一文带你了解氮化镓市场和轻松取代硅 MOSFET 的氮化镓技术（下半期）

2022年7月28日

上期内容回顾： CGD 研发的技术既兼具 cascode 的易用性，又兼具 e-mode GaN 的简单，规避了之前（一文带你了解氮化镓市场和轻松取代硅 MOSFET 的氮化镓技术（上半期）...

一文带你了解氮化镓市场和轻松取代硅 MOSFET 的氮化镓技术（上半期）

2022年7月18日

导语：今天的主题是氮化镓和氮化镓晶体管。氮化镓是一种宽禁带半导体材料，正逐步应用于部分功率电子器件中。氮化镓具有优越的特质，与硅相比，它具有更高的功率密度，耐高温性，和更高的开关频率。氮化镓极大...

Cambridge GaN Devices攜產品亮相APEC

2022年3月29日

CGD攜ICeGaN 650V H1系列首次亮相應用功率電子會議(APEC)，該系列內含四款650V產品，能夠充分發揮氮化鎵(GaN)強大技術優勢。 CGD的公司使命是透過提供節能易用...

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CAMBRIDGE GAN DEVICES 與工業技術研究院簽署合作備忘錄共同開發氮化鎵（GaN）電源

Cambridge GaN Devices 推出獨特2D 條碼，提升製程的耐用度與可靠度

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永續發展應該成為職場的文化價值

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實踐與眾不同的創新需要勇氣

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一文带你了解氮化镓市场和轻松取代硅 MOSFET 的氮化镓技术（下半期）

一文带你了解氮化镓市场和轻松取代硅 MOSFET 的氮化镓技术（上半期）

Cambridge GaN Devices攜產品亮相APEC

大中華區半導體元件代理商

與解決方案供應商，為客戶提供多元服務

代理產品線- 半導體元件

新聞

CAMBRIDGE GAN DEVICES 與工業技術研究院簽署合作備忘錄共同開發氮化鎵（GaN）電源

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CGD 技術長 FLORIN UDREA 再獲殊榮，入選 ISPSD 名人堂

永續發展應該成為職場的文化價值

Cambridge GaN Devices 第二代 ICeGaN ICs 提供最卓越的穩定耐用性、易於使用及高效率等特色

實踐與眾不同的創新需要勇氣

付出勇气，开拓创新，创造非凡

Cambridge GaN Devices執行長表示 與眾不同的創新需要勇氣

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與解決方案供應商，為客戶提供多元服務

代理產品線- 半導體元件

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CGD 將首次參與中國 PCIM Asia 展覽，發表易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列

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